Производитель Samsung объявил о выпуске памяти с высокой пропускной способностью, которая получила наименование Flashbolt. Модуль HBM2E оснащен 16 ГБ и предназначен для компьютеров. Он выполняет функцию максимизации высокопроизводительных вычислений, помогая разработчикам совершенствовать свои суперкомпьютеры, а также будет актуален для приложений с искусственным интеллектом и графических систем.
Данное устройство разрабатывалось еще весной прошлого года, однако серийный выпуск начнется лишь через год после анонса.
Разработка дает возможность обеспечить емкость, размер которой в два раза превосходит емкость второго поколения. Это повышает уровень производительности и улучшает все системы компьютера.
Скорость передачи данных составляет 3,3 ГБ/с за счет применения запатентованной оптимизированной схемы передачи данных. Пропускная способность может достигнуть 410 ГБ/с.
Кроме того, по словам корпорации, скорость передачи данных и пропускная способность могут увеличиться на несколько единиц.
