Micron Technology заявила о старте поставок первого флэш-накопителя на 176 слоев 3D NAND. Производитель отметил, что применение инновационной архитектуры дало возможность сделать мощный скачок, намного повысив производительность и плотность хранения. Новинку можно использовать в смартфонах, умных периферийных устройствах, центрах обработки информации.
Продукт, будучи самой флагманской технологической разработкой из всех доступных, также является пятой версией 3D NAND и второй – архитектуры RG. С новой моделью проделана определенная работа, снижены на 35% задержки чтения и записи.
Следующее достоинство новинки – ее компактный размер. Кристалл этой модели на 30% меньше, чем у существующих подобных продуктов от конкурирующих компаний. Память оптимально подходит для использования там, где маленький размер – решающий фактор.
Это не все достоинства 3D NAND. Пятая версия также может похвастаться самой высокой скоростью передачи информации – 1600 млн операций за секунду по каналу ONFI. Это на 33% больше показателей предыдущих моделей (1200 MT/s).
Micron трудится над ускоренным внедрением продукта. Пока память нашла применение в твердотельных накопителях Crucial.
